تفاصيل الوثيقة

نوع الوثيقة : مقال في مجلة دورية 
عنوان الوثيقة :
دراسة المقاومة لمادة السليكون ذات شوائب متعادلة باستخدام مفكوك تدريجي للجهد
Studying the Electrical Resistivity of Heavily-Doped n-Type Silicon Using a Gradient Expansion of the Potential
 
الموضوع : فيزياء 
لغة الوثيقة : الانجليزية 
المستخلص : تم حساب مقاومية مادة السليكون ذات الشوائب من النوع n عند درجة حرارة منخفضة وذلك باستخدام جهد مشتق له الصورة ?? ( r)?0[1+ ? (1/r+1/Rq)2+?]?? وتمت مقارنة النتائج التي حصلنا عليها بالنتائج التي استخدم لها الجهد الذي اشتقه دنجل Dingle وكذلك الجهد الذي اقترحه سافنسكي Csavinseky وللوصول إلى هذه النتائج استخدمت قاعدة تغيير الثوابت Variational principle لحساب الإزاحة الجزئية للموجة في الرتبة صفر كذلك استخدام تقريب برون Born لحساب الرتب غير الصفرية لهذه الإزاحة. والتي استخدمت لحساب مقطع التشتت والذي بدوره استخدام لحساب زمن " الاسترخاء" ومنه تحسب مقاومية مادة السليكون.  
ردمد : 1012-1319 
اسم الدورية : مجلة العلوم 
المجلد : 15 
العدد : 1 
سنة النشر : 1423 هـ
2003 م 
عدد الصفحات : 7 
نوع المقالة : مقالة علمية 
تاريخ الاضافة على الموقع : Sunday, October 11, 2009 

الباحثون

اسم الباحث (عربي)اسم الباحث (انجليزي)نوع الباحثالمرتبة العلميةالبريد الالكتروني
عويش حربي الغامدي OWAISH H. AlGhamdiباحث  
محمد رياض عرفةMOHAMMED R. ARAFAHباحث  

الملفات

اسم الملفالنوعالوصف
 22717.pdf pdf 

الرجوع إلى صفحة الأبحاث